学者知网节

中国期刊全文数据库 共找到40篇

[1]郝凤斌;金晓行;王玉林;滕鹤松;柏松;陈刚;.3.3 kV 60 A H桥高压SiC二极管模块模拟与制作[J]固体电子学研究与进展.2020,(05)

[2]黄润华;陶永洪;柏松;陈刚;汪玲;刘奥;李赟;赵志飞;.1200V碳化硅MOSFET设计[J]固体电子学研究与进展.2016,(06)

[3]刘昊;宋晓峰;柏松;刘奥;陈刚;杨立杰;.衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究[J]固体电子学研究与进展.2016,(06)

[4]钮应喜;黄润华;杨霏;汪玲;陈刚;陶永洪;刘奥;柏松;李赟;赵志飞;.4H型碳化硅高温氧化工艺研究[J]智能电网.2016,(06)

[5]汪玲;黄润华;刘奥;陈刚;柏松;.1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计[J]固体电子学研究与进展.2016,(03)

[6]刘涛;陈刚;黄润华;柏松;陶永洪;汪玲;刘奥;李赟;赵志飞;.3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造[J]固体电子学研究与进展.2016,(03)

[7]黄润华;陶永洪;汪玲;陈刚;柏松;栗锐;李赟;赵志飞;.Development of 17 kV 4H-SiC PiN diode[J]Journal of Semiconductors.2016,(08)

[8]黄润华;陶永洪;柏松;陈刚;汪玲;刘奥;卫能;李赟;赵志飞;.1700V碳化硅MOSFET设计[J]固体电子学研究与进展.2014,(06)

[9]黄润华;钮应喜;杨霏;陶永洪;柏松;陈刚;汪玲;刘奥;卫能;李赟;赵志飞;.碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究[J]智能电网.2015,(02)

[10]黄润华;陶永洪;柏松;陈刚;汪玲;刘奥;卫能;李赟;赵志飞;.Design and fabrication of a 3.3 kV 4H-SiC MOSFET[J]Journal of Semiconductors.2015,(09)

中国重要会议全文数据库 共找到7篇

[1]陈刚;李理;蒋浩;陶然;柏松;李赟;尹志军;.L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究[A].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013-05-21

[2]李理;陈刚;柏松;陶永洪;李赟;陈堂胜;.SiC SIT器件的高温退火工艺研究[A].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013-05-21

[3]陈刚;汪玲;周德红;柏松;.SiC MESFET器件制造与特性研究[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[4]陈刚;李哲洋;陈征;冯忠;陈雪兰;柏松;.4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[5]柏松;陈刚;冯忠;钱峰;陈征;吴鹏;任春江;李哲洋;郑惟彬;蒋幼泉;陈辰;.S波段SiC MESFET微波功率MMIC[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[6]陈刚;陈雪兰;柏松;李哲洋;韩平;.4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[7]李春;陈刚;.离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

【姓名】	陈刚
【职称】	工程师;
【研究领域】	无线电电子学;核科学技术;
【研究方向】	碳化硅微波功率器件和碳化硅电力电子器件
【发表文献关键词】	电子器件,脉冲功率,退火,I-V特性,碳化硅,4H-SiC,南京,MESFET,欧姆接触,表面分析,4H碳化硅,金属半导体场效应管,微波特性,宽禁带半导体,MESFET器件,研究所,离子注入,晶体,微...
【工作单位】	南京电子器件研究所
【曾工作单位】	南京电子器件研究所;
【所在地域】	南京

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