金毓铨
【姓名】 金毓铨
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体器件和微波产品可靠性研究
【发表文献关键词】 退化模型,敏感参数,功率FET,GaAs,静电敏感度,失效分析,砷化镓微波单片集成电路,微波功率器件,n因子,低频噪声,快速试验方法,动态,动态寿命试验,微波器件,可靠性,试验系统,失效率,沟道温度,...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 江苏南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/9 9 0 1 32 847
中国期刊全文数据库    共找到9篇
[1]贾东铭;杨洋;林罡;金毓铨;.砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究[J]固体电子学研究与进展.2014,(04)
[2]林罡;贾东铭;耿涛;黄念宁;徐波;薛静;高建峰;金毓铨;.MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析[J]固体电子学研究与进展.2012,(06)
[3]金毓铨;陶有迁;王因生;韩钧;施传贵;.关于半导体器件热特性表征和控制技术的研究[J]固体电子学研究与进展.2011,(01)
[4]王因生;陶有迁;徐全胜;金毓铨;傅义珠;丁晓明;王志楠;.L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验[J]固体电子学研究与进展.2011,(05)
[5]来萍;张晓明;荣炳麟;冯敬东;范国华;金毓铨;.微波功率器件动态试验系统[J]半导体技术.2007,(05)
[6]来萍,荣炳麟,冯敬东,范国华,金毓铨,钟志新,张晓明.微波功率器件动态寿命试验方法和技术研究[J]固体电子学研究与进展.2001,(01)
[7]叶禹康,孙伟东,俞土法,金毓铨.GaAs MMIC抗静电能力研究[J]固体电子学研究与进展.1999,(04)
[8]范国华,刘晓平,金毓铨,吴亚洁,颀世惠,李祖华.GaAs微波功率FET可靠性评价技术研究[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[9]娄书礼,龚朝阳,金毓铨,苏德青.微波器件失效率快速试验方法研究[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
更多