赵洪泉
【姓名】 赵洪泉
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅基激光器,连续激射,直接键合,量子阱激光器,阈值电流密度,边发射激光器,硅基键合,键合技术,微分电阻,脊波导,连续工作,硅基光电子集成,室温,外延片,电注入,外延生长,制备,键合工艺,条宽,亲水性,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]于丽娟;赵洪泉;杜云;黄永箴;.键合法制备硅基1.55μmInP-InGaAsP量子阱激光器[J]半导体学报.2006,(04)
[2]于丽娟;赵洪泉;杜云;李敬;黄永箴;.硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制[J]半导体学报.2007,(07)
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