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叶双莉
【姓名】
叶双莉
【职称】
【研究领域】
自动化技术;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
自旋阀,复合自由层,横向退火工艺,矫顽力,磁传感器,巨磁电阻器件,巨磁电阻传感器,退火温度,微电子机械系统,单畴模型,硅-玻璃阳极键合,硅深刻蚀,刻蚀损伤,磁电阻率,易磁化轴,测试结果,电阻变化率,热...
【工作单位】
清华大学
【曾工作单位】
清华大学;
【所在地域】
北京海淀
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学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到4篇
[1]刘鹏;李伟;刘华瑞;叶双莉;任天令;刘理天;.
低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究
[J]传感技术学报.2006,(05)
[2]阮勇;叶双莉;张大成;任天令;刘理天;.
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
[3]刘鹏;李伟;叶双莉;任天令;刘理天;.
低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
[4]郑洋;曲炳郡;叶双莉;李伟;任天令;刘理天;.
热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究
[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
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中国重要会议全文数据库
共找到3篇
[1]阮勇;叶双莉;张大成;任天令;刘理天;.
一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
[2]刘鹏;李伟;叶双莉;任天令;刘理天;.
低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
[3]郑洋;曲炳郡;叶双莉;李伟;任天令;刘理天;.
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