冯建
【姓名】 冯建
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体集成电路检测和试验方面的研究
【发表文献关键词】 硅-硅键合,辐射加固,超纯氢气,介质隔离,硅外延,键合片,VDMOSFET,纯化系统,SOI,硅键合,努塞尔特准数,疏水性处理,应力消除处理,硅片直接键合,雷诺准数,半绝缘SOI,铁氧体驱动器,硅片键...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
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[1]冯建;吴建;吴雪;谭开洲;王斌;杨永晖;.P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术研究[J]微电子学.2017,(04)
[2]冯建;胡波;邢宗锋;罗俊;.老化试验中温度变化问题探讨[J]环境技术.2014,(05)
[3]石红;谭开洲;蒲大勇;冯建;.铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究[J]微电子学.2006,(01)
[4]谭开洲;冯建;刘勇;徐世六;杨谟华;李肇基;张正璠;刘玉奎;何开全;.一种新型半绝缘键合SOI结构[J]半导体学报.2006,(10)
[5]谭开洲;杨谟华;徐世六;刘玉奎;李肇基;刘勇;冯建;.一种半绝缘键合SOI新型BCD结构[J]半导体学报.2007,(05)
[6]羊庆玲,冯建.适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术[J]微电子学.2004,(02)
[7]冯建;毛儒焱;吴建;王大平;.SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究[J]微电子学.2005,(06)
[8]陈洪波,冯建,熊化兵,李文,李智囊.硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术[J]微电子学.2002,(05)
[9]杨国渝,冯建,吴建.硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响[J]微电子学.2002,(05)
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