杨慧
【姓名】 杨慧
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SIMOXSOI材料抗辐照表征技术的研究
【发表文献关键词】 SIMOX,SOI,总剂量辐照效应,Pseudo-MOS,Si离子注入,抗总剂量辐照,pseudo-MOS,改性研究,材料,改性工艺,特性曲线,界面陷阱电荷,晶体管,样品,氧化物陷阱电荷,辐照前,氧化...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]杨慧;张恩霞;张正选;.Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)[J]半导体学报.2007,(03)
[2]杨慧;张正选;张恩霞;.Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应[J]功能材料与器件学报.2007,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]武爱民;陈静;张恩霞;杨慧;张正选;王曦;.注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响[A].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）.2007-11-01
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