陶建中
【姓名】 陶建中
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电信技术;
【研究方向】 VLSI工艺集成、ASIC、SI工艺及电路设计
【发表文献关键词】 SOI CMOS,SIMOX,总剂量效应,绝缘体上硅,灵敏放大器,部分耗尽,SRAM,动态体放电,绝缘体上硅(SOI),部分耗尽(PD),静态存储器,故障模型,测试码,总剂量辐照,辐照系统,器件,加固...
【工作单位】 中国电子科技集团第五十八研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第五十八研究所;
【所在地域】 江苏无锡
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/19 12 9 0 53 2051
中国期刊全文数据库    共找到20篇
[1]万书芹;陈婷婷;陶建中;蒋颖丹;朱夏冰;.基于JESD204B协议高速并行8bit/10bit解码电路设计[J]半导体技术.2021,(08)
[2]王俊杰;万书芹;叶明远;陶建中;.一种低延时的多通道8B/10B编码器设计[J]光通信技术.2020,(02)
[3]杨阳;陶建中;万书芹;邱丹;.基于精确频率控制字的高速DDS电路设计与实现[J]电子设计工程.2020,(03)
[4]王俊杰;万书芹;季惠才;陶建中;杨阳;.一种用于JESD204B协议的8B/10B并行编码电路设计与实现[J]微电子学与计算机.2020,(06)
[5]金东强;万书芹;陶建中;盛炜;.基于JESD204B协议的并行加解扰电路[J]微电子学.2019,(04)
[6]杨阳;陶建中;万书芹;邱丹;.基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现[J]电子与封装.2019,(08)
[7]孙敬;陶建中;陈振娇;.McBSP与SPI通信的时序与波特率配置分析[J]电子与封装.2016,(01)
[8]孙敬;陈振娇;陶建中;薛海卫;徐新宇;.基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计[J]微电子学与计算机.2016,(07)
[9]孙敬;陈振娇;陶建中;张宇涵;.改进DICE结构的D触发器抗SEU设计[J]电子与封装.2016,(08)
[10]胡杏;万书芹;陈钟鹏;陶建中;.基于混合CORDIC算法的高速DDS设计[J]微电子学.2014,(06)
更多