袁凤坡
【姓名】 袁凤坡
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 Ⅲ-Ⅴ半导体材料的外延与质量表征以及碳化硅功率器件封装
【发表文献关键词】 AlGaN/AlN,应变分析,弛豫过程,弯曲系数,蓝宝石衬底,缓冲层,双晶衍射,外延生长,光谱分析,组分,带隙,射线衍射,透射光谱,曲线分析,拟合曲线,外延层,低温,生长条件,扫描,结构,
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/18 13 6 3 36 2956
中国期刊全文数据库    共找到13篇
[1]李帅;白欣娇;袁凤坡;崔素杭;李晓波;王静辉;.碳化硅功率模块焊接工艺研究进展[J]微纳电子技术.2020,(02)
[2]盛百城;白欣娇;唐兰香;甘琨;袁凤坡;.图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响[J]半导体技术.2019,(05)
[3]袁凤坡;白欣娇;李帅;崔素杭;李晓波;王静辉;.封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响[J]半导体技术.2019,(09)
[4]白欣娇;袁凤坡;王文军;房玉龙;李晓波;李浩;.6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备[J]半导体技术.2018,(05)
[5]白欣娇;袁凤坡;李晓波;王文军;李路杰;.增强型GaN HEMT凹槽栅刻蚀技术研究进展[J]微纳电子技术.2018,(10)
[6]袁凤坡;王波;潘鹏;王静辉;唐景庭;.变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响[J]半导体技术.2016,(03)
[7]袁凤坡;刘波;尹甲运;王波;王静辉;唐景庭;.4英寸硅衬底GaN发光二极管[J]半导体技术.2016,(08)
[8]赵翠俭;孙素静;袁凤坡;.不同生长模式对AlN薄膜质量的影响[J]科技通报.2014,(07)
[9]刘英斌;林琳;陈宏泰;袁凤坡;李云;.670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长[J]微纳电子技术.2010,(02)
[10]许敏;袁凤坡;陈国鹰;李冬梅;尹甲运;冯志宏;.调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响[J]半导体技术.2007,(03)
更多
中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]尹甲运;刘波;袁凤坡;梁栋;冯志宏;.AIN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01
更多