王文欣
【姓名】 王文欣
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 表面处理,MOCVD,横向外延生长,GaN薄膜,蓝宝石衬底,半峰全宽,腐蚀时间,氮化镓,位错密度,原子力显微镜,腐蚀坑,扫描电子显微镜,衬底腐蚀,均方根粗糙度,晶体质量,光学显微镜,高分辨率,三维视频...
【工作单位】 深圳大学
【曾工作单位】 深圳大学;
【所在地域】 广东深圳
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[1]彭冬生;冯玉春;王文欣;刘晓峰;施炜;牛憨笨;.一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法[J]物理学报.2006,(07)
[2]冯玉春;刘晓峰;王文欣;彭冬生;郭宝平;.低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂[J]人工晶体学报.2006,(04)
[3]彭冬生;冯玉春;王文欣;刘晓峰;施炜;牛憨笨;.蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响[J]光子学报.2007,(08)
[4]冯玉春,胡加辉,张建宝,王文欣,朱军山,杨建文,郭宝平.过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响[J]人工晶体学报.2005,(05)
[5]冯玉春;张建宝;朱军山;杨建文;胡加辉;王文欣;.Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触[J]发光学报.2005,(06)
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