冯彬
【姓名】 冯彬
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 工艺仿真,Tsuprem4软件,横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,仿真软件,TRL校准,管芯S参数,等效电路,矢量网络分析仪,键合引线,电路提取,封装器件,管壳,工艺条件,测试夹具,仿真结果,输...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]韩东;胡顺欣;冯彬;王胜福;邓建国;许悦;.Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究[J]半导体技术.2012,(06)
[2]董四华;刘英坤;冯彬;孙艳玲;.通过TRL校准提取管芯S参数的技术[J]半导体技术.2007,(02)
[3]冯彬;刘英坤;孙艳玲;段雪;董四华;.微波功率LDMOS的工艺仿真及研制[J]半导体技术.2007,(05)
[4]尹胜连;冯彬;.TCAD技术及其在半导体工艺中的应用[J]半导体技术.2008,(06)
[5]苏延芬;刘英坤;邓建国;胡顺欣;冯彬;董四华;.射频功率Trench MOSFET研制[J]微纳电子技术.2008,(07)
[6]段雪;郎秀兰;刘英坤;董四华;崔占东;刘忠山;孙艳玲;胡顺欣;冯彬;.功率VDMOSFET单粒子效应研究[J]微纳电子技术.2008,(10)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]段雪;董四华;刘英坤;田秀伟;邓建国;孙艳玲;冯彬;.重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
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