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【姓名】	尹甲运
【职称】	高级工程师;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】	GaNMOCVD材料外延生长
【发表文献关键词】	AlGaN/AlN,应变分析,弛豫过程,弯曲系数,蓝宝石衬底,缓冲层,双晶衍射,外延生长,光谱分析,组分,带隙,射线衍射,透射光谱,曲线分析,拟合曲线,外延层,低温,生长条件,扫描,结构,
【工作单位】	中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】	中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】	石家庄

中国期刊全文数据库 共找到16篇

[1]高楠;房玉龙;王波;韩颖;张志荣;尹甲运;刘超;.高掺杂低位错p型GaN材料生长研究[J]半导体技术.2024,(08)

[2]王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;芦伟立;高楠;.石墨烯插入层对蓝宝石上GaN材料的应力调制[J]微纳电子技术.2024,(09)

[3]房玉龙;张志荣;尹甲运;王波;芦伟立;高楠;陈秀芳;.6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响[J]半导体技术.2022,(05)

[4]尹甲运;张志荣;李佳;房玉龙;郭艳敏;高楠;冯志红;.6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料[J]半导体技术.2020,(08)

[5]王波;高楠;郭艳敏;尹甲运;张志荣;袁凤坡;房玉龙;冯志红;.具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料[J]微纳电子技术.2019,(09)

[6]卜爱民;房玉龙;李佳;芦伟立;赵丽霞;杨龙;尹甲运;刘沛;冯志红;陈秉克;蔡树军;.基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长[J]半导体技术.2018,(03)

[7]郭艳敏;房玉龙;尹甲运;刘沛;张志荣;王波;高楠;冯志红;.退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响[J]半导体技术.2018,(07)

[8]房玉龙;王现彬;吕元杰;王英民;顾国栋;宋旭波;尹甲运;冯志红;蔡树军;赵正平;.N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）[J]半导体技术.2016,(02)

[9]袁凤坡;刘波;尹甲运;王波;王静辉;唐景庭;.4英寸硅衬底GaN发光二极管[J]半导体技术.2016,(08)

[10]刘波;尹甲运;吕元杰;敦少博;冯志红;蔡树军;.高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响[J]微纳电子技术.2014,(07)

中国重要会议全文数据库 共找到2篇

[1]刘波;张森;尹甲运;冯志宏;蔡树军;.晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结材料研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13

[2]尹甲运;刘波;袁凤坡;梁栋;冯志宏;.AIN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响[A].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007-09-01

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