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【姓名】	申继伟
【职称】
【研究领域】	物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】	光电子材料与器件的研究
【发表文献关键词】	射频磁控反应溅射,氮化硅薄膜,纳米硅,光致发光特性,薄膜材料,富硅氮化硅,光致发光谱,制备,样品,硅基发光材料,平均尺寸,缺陷态,气体流量比,颗粒,工艺条件,热退火处理,硅发光,镶嵌,硅材料,退火温度,
【工作单位】	华侨大学
【曾工作单位】	华侨大学;
【所在地域】	福建泉州

中国期刊全文数据库 共找到7篇

[1]张春华;郭亨群;王国立;申继伟;徐骏;陈坤基;.a-Si/a-SiN_x超晶格材料光学特性[J]功能材料与器件学报.2009,(03)

[2]丁武昌;左玉华;张云;郭剑川;成步文;余金中;王启明;郭亨群;吕蓬;申继伟;.Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films[J]半导体学报.2009,(10)

[3]申继伟;郭亨群;曾友华;吕蓬;王启明;.纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性[J]半导体技术.2007,(09)

[4]申继伟;郭亨群;吕蓬;徐骏;陈坤基;王启明;.Si/SiN_x超晶格材料的非线性光学特性[J]发光学报.2008,(06)

[5]吕蓬;郭亨群;申继伟;王启明;.纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究[J]功能材料.2008,(01)

[6]吕蓬;郭亨群;王加贤;李立卫;申继伟;.纳米Si/SiN_x薄膜的制备及对Nd∶YAG激光器的被动调Q[J]激光技术.2008,(02)

[7]丁武昌;郑军;左玉华;成步文;余金中;王启明;郭亨群;吕蓬;申继伟;.磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱[J]半导体技术.2008,(S1)

中国优秀硕士学位论文全文数据库 共找到1篇

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]丁武昌;郑军;左玉华;成步文;余金中;王启明;郭亨群;吕蓬;申继伟;.磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

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