杨红伟
【姓名】 杨红伟
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;汽车工业;
【研究方向】 大功率半导体激光器、红外发光管等光电器件的研究
【发表文献关键词】 GaN,退火,整流接触,金属有机物化学气相淀积,蓝宝石衬底,碳化硅,高电子迁移率晶体管,在位监测,p型掺杂,欧姆接触,表面形貌,结构材料,热退火,缓冲层,光荧光谱,生长速率,异质外延,晶体质量,比接触...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[3]张厚博;王晓燕;崔璐;李晓红;杨红伟;.16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制[J]半导体技术.2020,(09)
[4]张岩;王彦照;宁吉丰;杨红伟;陈宏泰;.795nm单模垂直腔面发射激光器[J]半导体技术.2017,(01)
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[6]杨红伟;张岩;齐利芳;尹顺政;.雪崩光电二极管芯片自动测试系统[J]半导体技术.2015,(06)
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[8]闫立华;徐会武;任永学;王晓燕;杨红伟;安振峰;.不完全匹配吸收方法测试激光二极管阵列寿命[J]微纳电子技术.2011,(07)
[9]陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;黄科;张世祖;徐会武;王晓燕;杨红伟;安振峰;花吉珍;.808nm高效率激光二极管[J]微纳电子技术.2011,(07)
[10]花吉珍;齐志华;杨红伟;杜伟华;陈国鹰;.大功率半导体激光器腔面处理方法[J]微纳电子技术.2009,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]车相辉;陈宏泰;林琳;王晶;张世祖;徐会武;刘会民;王晓燕;杨红伟;安振峰;.808nm半导体激光器材料参数的数值模拟研究[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
[2]林琳;陈宏泰;杨红伟;刘英斌;安振峰;.采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
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