郜锦侠
【姓名】 郜锦侠
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 SiCCMOS器件及电路研究
【发表文献关键词】 碳化硅,隐埋沟道,金属氧化物半导体场效应晶体管,平均迁移率模型,伏安特性,工作模式,阈值电压,漏电流,埋沟器件,表面粗糙度,界面态密度,载流子迁移率,载流子浓度,解析表达式,有效迁移,栅压,表面沟道,...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
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中国期刊全文数据库    共找到9篇
[1]郜锦侠;张义门;张玉明;.4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究(英文)[J]半导体学报.2006,(02)
[2]郜锦侠;张义门;张玉明;汤晓燕;.4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究[J]功能材料与器件学报.2006,(02)
[3]郜锦侠;张义门;张玉明;.SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变[J]半导体学报.2006,(07)
[4]郜锦侠;张义门;张玉明;夏杰;.基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[5]汤晓燕,张义门,张玉明,郜锦侠.界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响[J]物理学报.2003,(04)
[6]汤晓燕,张义门,张玉明,郜锦侠,陈锐标.6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型[J]半导体学报.2004,(09)
[7]郜锦侠,张义门,张玉明.考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型[J]半导体学报.2004,(10)
[8]郜锦侠,张义门,张玉明.4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)[J]半导体学报.2004,(12)
[9]郜锦侠,张义门,张玉明,汤晓燕.表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响[J]半导体学报.2002,(04)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]郜锦侠.4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究[D].西安电子科技大学.2005
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]郜锦侠.碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真[D].西安电子科技大学.2002
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