庄四祥
【姓名】 庄四祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体光电子器件
【发表文献关键词】 探测器响应,光响应度,铟镓砷/磷化铟,欧姆接触电极,高响应度,反向偏压,增透膜,工艺制备,器件,量子效率,材料结构,响应范围,透射率,设计与制作,分光系统,微型光谱仪,测量,氮化硅,优化,平面型,
【工作单位】 北京工业大学
【曾工作单位】 北京工业大学;
【所在地域】 北京
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[1]张跃宗;冯士维;郭春生;张光沉;庄四祥;苏蓉;白云霞;吕长志;.大电流密度下欧姆接触退化机理的研究[J]固体电子学研究与进展.2009,(03)
[2]王承栋;杨集;冯士维;张跃宗;庄四祥;张弓长;.高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制[J]微纳电子技术.2007,(Z1)
[3]庄四祥;冯士维;王承栋;白云霞;苏蓉;孟海杰;.探测器中扩散结深对光响应度影响的研究[J]半导体技术.2008,(10)
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[1]王承栋;杨集;冯士维;张跃宗;庄四祥;张弓长;.高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
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