单晓楠
【姓名】 单晓楠
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 金属栅,NiSi,炉退火,快速热退火,功函数,方块电阻,电荷密度,栅介质,栅氧化层,电学特性,形成温度,多晶硅,热稳定性,氧化层电荷,击穿电场,退火温度,栅电容,栅电极,温度升高,物理模型,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京海淀
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[1]蔡一茂;黄如;单晓楠;周发龙;王阳元;.锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究[J]电子学报.2006,(08)
[2]单晓楠;黄如;李炎;蔡一茂;.NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究[J]物理学报.2007,(08)
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