刘天东
【姓名】 刘天东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗硅,工艺简介,外延工艺,基区渡越时间,硅片,均匀性,电阻率,电流增益,异质结双极晶体管,掺杂浓度,发射区,低温工艺,单晶硅表面,工艺气体,生长,组分,化合物,硅衬底,化学反应,外延层,
【工作单位】 美国应用材料中国有限公司
【曾工作单位】 美国应用材料中国有限公司;
【所在地域】 上海浦东
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[1]刘天东;.锗硅在HBT中的应用及全外延工艺简介[J]集成电路应用.2007,(07)
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