苦史伟
【姓名】 苦史伟
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背腐蚀,光生电动势,能带理论,硅片,等离子刻蚀,腐蚀方法,分离,并联电阻,背靠背,刻蚀工艺,扩散,发射极,电压表,费米能级,背面,平均值,表面形貌,边缘,电池,太阳能,
【工作单位】 上海交通大学
【曾工作单位】 上海交通大学;
【所在地域】 上海
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[1]刘志刚;孙铁囤;苦史伟;罗培青;姜维;徐秀琴;崔容强;.背腐蚀法分离p-n结的研究[J]太阳能学报.2007,(02)
[2]安静;孙铁囤;刘志刚;汪建强;苦史伟;.硅片在HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀速度[J]太阳能学报.2008,(03)
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