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钟飞
【姓名】
钟飞
【职称】
【研究领域】
工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
调制中断,表面形貌,GaN薄膜,生长技术,外延薄膜,反射式高能电子衍射,束流,扫描电子显微镜,外延层,摇摆曲线,实时监控,均方根粗糙度,原子力显微镜,二维生长模式,保护,样品,蓝宝石衬底,中断过程,外...
【工作单位】
中国科学院固体物理研究所
【曾工作单位】
中国科学院固体物理研究所;
【所在地域】
安徽
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共找到2篇
[1]钟飞;邱凯;李新化;尹志军;姬长建;韩奇峰;曹先存;陈家荣;段铖宏;周秀菊;王玉琦;.
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
[J]半导体学报.2007,(08)
[2]李新化;钟飞;邱凯;尹志军;姬长建;.
Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
[J]Chinese Physics B.2008,(04)
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