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【姓名】	吴良才
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;材料科学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】	相变存储器,W亚微米管加热电极,电学性能,疲劳特性,Ge纳米晶,高k介质,C-V曲线,存储特性,平带电压,存储器,相变材料,电荷量,扫描速率,电极性能,隧道氧化层,浮栅,操作电流,器件失效,频率,电子...
【工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】	上海

中国期刊全文数据库 共找到17篇

[1]夏梦姣;饶峰;宋志棠;任堃;吴良才;刘波;封松林;.An Improvement of the Thermal Stability of SnTe through Nitrogen Doping[J]Chinese Physics Letters.2013,(03)

[2]朱月琴;张中华;宋三年;谢华清;宋志棠;沈兰兰;李乐;吴良才;刘波;.Characterization of Ge Doping on Sb_2Te_3 for High-Speed Phase Change Memory Application[J]Chinese Physics Letters.2015,(07)

[3]佘秋明;曹良良;陈燕;宋新山;王宇晖;宋志棠;吴良才;.原子层沉积低温制备高取向锐钛矿TiO_2薄膜[J]真空科学与技术学报.2016,(05)

[4]陈燕;佘秋明;吴爱林;宋新山;宋志棠;姚栋宁;吴良才;.原子层沉积与磁控溅射法制备TiO_2薄膜性能对比研究[J]人工晶体学报.2016,(06)

[5]吴良才;宋志棠;周夕淋;饶峰;封松林;.相变存储器材料研究[J]中国科学:物理学力学天文学.2016,(10)

[6]谷立新;周夕淋;张斌;张滔;刘显强;韩晓东;吴良才;宋志棠;张泽;.Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响[J]电子显微学报.2013,(03)

[7]张徐;刘波;宋三年;姚栋宁;朱敏;饶峰;吴良才;宋志棠;封松林;.新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究[J]无机材料学报.2013,(12)

[8]倪鹤南;吴良才;宋志棠;惠唇;.电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)[J]稀有金属材料与工程.2012,(01)

[9]张徐;饶峰;刘波;彭程;周夕淋;姚栋宁;郭晓慧;宋三年;王良咏;成岩;吴良才;宋志棠;封松林;.Dry etching of new phase-change material Al_(1.3)Sb_3Te in CF_4/Ar plasma[J]半导体学报.2012,(10)

[10]倪鹤南;吴良才;宋志棠;惠春;.金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性[J]功能材料与器件学报.2009,(03)

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