阮学忠
【姓名】 阮学忠
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InAs亚单层,自旋弛豫时间,BAP机理,电子自旋,空间相关性,激发条件,电子空穴,单层结构,非共振,交换相互作用,寿命,时间分辨荧光光谱,主导地位,样品,时间分辨光谱,结构特性,自旋特性,载流子,弛...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/3 3 3 0 4 222
中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]杨威;姬扬;罗海辉;阮学忠;王玮竹;赵建华;.Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质[J]物理学报.2009,(12)
[2]孙征;徐仲英;阮学忠;姬扬;孙宝权;倪海桥;.InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J]物理学报.2007,(05)
[3]周蓉;孙宝权;阮学忠;甘华东;姬扬;王玮竹;赵建华;.外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响[J]物理学报.2008,(08)
更多