龚大卫
【姓名】 龚大卫
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 结穿刺,结漏电,阻挡层,应力,可靠性,匹配验证,命令文件,节点,逻辑运算,器件识别,BCD工艺,双扩散金属氧化物半导体管,模块化,高压器件,高密度,电源管理,显示驱动,击穿电压,电路原理图,合金,工艺...
【工作单位】 上海先进半导体制造股份有限公司
【曾工作单位】 上海先进半导体制造股份有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]陈志勇;黄其煜;龚大卫;.BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究[J]电子与封装.2006,(07)
[2]陈志勇;黄其煜;龚大卫;.BCD工艺概述[J]半导体技术.2006,(09)
[3]蔡斌君;黄其煜;龚大卫;.基于BiCMOS工艺的版图与原理图匹配验证[J]半导体技术.2007,(07)
[4]谢姝;曹娜;郑国祥;龚大卫;.包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型[J]复旦学报(自然科学版).2008,(01)
[5]顾志光;孙钧;郑国祥;龚大卫;.BARC工艺在亚微米光刻中的应用[J]固体电子学研究与进展.2005,(04)
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