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刘刚
【姓名】
刘刚
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】
体硅和SOICMOS器件的抗辐射机理研究
【发表文献关键词】
部分耗尽SOI,静态随机存储器,总剂量,辐照前,辐照加固,读取时间,国内首次,数据,静态功耗,动态功耗,指标,晶圆,规定,能力,范围,
【工作单位】
中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】
中国科学院微电子研究所;
【所在地域】
北京
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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/
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25
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2
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5678
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到32篇
[1]李阳;高洪民;刘刚;冷永清;.
0.4~2.2 GHz连续F类功率放大器设计
[J]太赫兹科学与电子信息学报.2019,(06)
[2]崔兴利;冷永清;王伟;慕福奇;邱昕;李阳;刘刚;.
适用于包络跟踪的开关电源调制电路设计
[J]半导体技术.2017,(03)
[3]高博;王立新;刘刚;罗家俊;韩郑生;王路璐;邓海涛;.
国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应
[J]太赫兹科学与电子信息学报.2016,(01)
[4]赵洪利;曾传滨;刘魁勇;刘刚;罗家俊;韩郑生;.
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
[J]半导体技术.2015,(01)
[5]毕津顺;曾传滨;高林春;刘刚;罗家俊;韩郑生;.
Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET
[J]Chinese Physics B.2014,(08)
[6]刘天奇;耿超;张战刚;赵发展;古松;童腾;习凯;刘刚;韩郑生;侯明东;刘杰;.
Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices
[J]Journal of Semiconductors.2014,(08)
[7]王立新;单尼娜;刘刚;韩郑生;夏洋;.
功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究
[J]核电子学与探测技术.2012,(07)
[8]高博;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;宋李梅;.
功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究
[J]微电子学.2013,(01)
[9]高博;刘刚;王立新;韩郑生;宋李梅;张彦飞;腾瑞;吴海舟;.
The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films
[J]Chinese Physics B.2013,(03)
[10]高博;刘刚;王立新;韩郑生;余学峰;任迪远;孙静;.
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
[J]原子能科学技术.2013,(05)
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中国重要会议全文数据库
共找到12篇
[1]王立新;高博;王春林;赵发展;刘刚;.
功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法
[A].中国核科学技术进展报告(第三卷)——中国核学会2013年学术年会论文集第7册(核电子学与核探测技术分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、核聚变与等离子体物理分卷).2013-09-11
[2]刘梦新;刘刚;卜建辉;范雪梅;毕津顺;赵发展;韩郑生;.
基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究
[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[3]刘刚;赵发展;韩郑生;.
宇航用电子元器件单粒子辐照技术
[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[4]赵发展;郭天雷;刘刚;海潮和;韩郑生;贺朝会;李永宏;.
8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究
[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[5]薛玉雄;田恺;曹洲;刘刚;韩郑生;.
SOI工艺的静态存储器单粒子翻转试验研究
[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[6]吾勤之;许导进;王晨;刘刚;蔡小五;韩郑生;.
SRAM存储器单粒子效应试验研究
[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[7]崔江维;余学峰;刘刚;李茂顺;高博;兰博;赵云;费武雄;陈睿;.
国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
[A].中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册).2009-11-18
[8]高博;余学峰;任迪远;刘刚;王义元;孙静;文林;李茂顺;崔江维;.
国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
[A].中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册).2009-11-18
[9]毕津顺;曾传滨;刘刚;罗家俊;韩郑生;.
面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究
[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集(下篇).2011-10-25
[10]高博;刘刚;王立新;韩郑生;赵发展;宋李梅;张彦飞;王春林;.
一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究
[A].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册).2012-08-15
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
张启晨
东南大学
赵发展
中国科学院微电子研究所
李晶
中国科学院微电子研究所
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
李多力
中国科学院微电子研究所
1
赵立新
中国科学院微电子研究所
1
周小茵
中国科学院微电子研究所
1
赵发展
中国科学院微电子研究所
1
李晶
中国科学院微电子研究所
1
海潮和
中国科学院微电子研究所
1
韩郑生
中国科学院微电子研究所
1
郭天雷
中国科学院微电子研究所
1
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该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
刘忠立
中国科学院半导体研究所
3
吴德馨
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3
海潮和
中国科学院微电子研究所
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韩郑生
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3
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