刘刚
【姓名】 刘刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电力工业;
【研究方向】 体硅和SOICMOS器件的抗辐射机理研究
【发表文献关键词】 部分耗尽SOI,静态随机存储器,总剂量,辐照前,辐照加固,读取时间,国内首次,数据,静态功耗,动态功耗,指标,晶圆,规定,能力,范围,
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[9]高博;刘刚;王立新;韩郑生;宋李梅;张彦飞;腾瑞;吴海舟;.The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films[J]Chinese Physics B.2013,(03)
[10]高博;刘刚;王立新;韩郑生;余学峰;任迪远;孙静;.PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究[J]原子能科学技术.2013,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到12篇
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[4]赵发展;郭天雷;刘刚;海潮和;韩郑生;贺朝会;李永宏;.8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
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[8]高博;余学峰;任迪远;刘刚;王义元;孙静;文林;李茂顺;崔江维;.国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[A].中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册).2009-11-18
[9]毕津顺;曾传滨;刘刚;罗家俊;韩郑生;.面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集(下篇).2011-10-25
[10]高博;刘刚;王立新;韩郑生;赵发展;宋李梅;张彦飞;王春林;.一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究[A].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(上册).2012-08-15
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