罗卫军
【姓名】 罗卫军
【职称】 副研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 GaN基微电子材料、器件与应用电路的研究工作
【发表文献关键词】 SiC,AlGaN/GaN HEMT,自热效应,外延材料,器件性能,蓝宝石衬底,金属有机物化学气相淀积,功率密度,电流密度,连续波,欧姆接触,研制,国产,材料利用,离子注入,最大输出功率,崩塌效应,接...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[2]何凡;沈红伟;来龙坤;罗卫军;.一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计[J]微电子学.2024,(03)
[3]蒋鑫;李晨浩;羊硕雄;梁家豪;来龙坤;董青杨;黄威;刘新宇;罗卫军;.Reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with Au-free gate[J]Chinese Physics B.2023,(03)
[4]高媛;单月晖;罗卫军;.GaN数字功率放大器技术进展[J]微电子学.2021,(06)
[5]张静;梁竞贤;来龙坤;徐进;张奕泽;闫江;罗卫军;.Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型[J]半导体技术.2020,(05)
[6]张杰;吴蓉;徐进;梁竞贤;来龙坤;罗卫军;.采用CMOS工艺的C波段5bit数字移相器设计[J]微电子学与计算机.2019,(11)
[7]刘辉;孙朋朋;张宗敬;罗卫军;.X波段GaN基小相位移相器设计[J]半导体技术.2018,(04)
[8]张宗敬;雷天民;刘辉;张杰;耿苗;罗卫军;.GaN HEMT开关器件小信号模型[J]半导体技术.2018,(06)
[9]孙朋朋;刘辉;耿苗;张蓉;王琦;罗卫军;.X波段4 bit MMIC数字移相器的设计与实现[J]半导体技术.2017,(06)
[10]张蓉;马晓华;罗卫军;刘辉;孙朋朋;耿苗;.高性能X波段增强型凹栅Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT[J]微电子学与计算机.2017,(11)
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