赵发展
【姓名】 赵发展
【职称】
【研究领域】 计算机硬件技术;无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 SOI器件的抗辐照性能与测试的研究
【发表文献关键词】 部分耗尽SOI,静态随机存储器,总剂量,辐照前,临界电荷,单粒子翻转效应,PDSOI,寄生三极管,SRAM,电源电压,辐照加固,模型参数提取,存储单元,读取时间,静态增益,最高工作电压,电流脉冲波形,...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到34篇
[1]张学连;吴玉平;李志强;赵发展;.逻辑一致性保证的RTL反向综合技术研究[J]微电子学与计算机.2025,(07)
[2]赵捷;赵野;童纪昀;王莎;张孟翟;赵发展;.应用于时间数字转换器的补偿校准算法及电路[J]合肥工业大学学报(自然科学版).2022,(12)
[3]孙燊;马闪闪;李晶;赵发展;.存储器写禁止时间参数的测试方法[J]数字通信世界.2023,(05)
[4]李逸帆;倪涛;李晓静;王娟娟;高林春;卜建辉;李多力;蔡小五;许立达;李雪勤;王润坚;曾传滨;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process[J]Chinese Physics B.2023,(09)
[5]张颢译;曾传滨;李晓静;闫薇薇;倪涛;高林春;罗家俊;赵发展;韩郑生;.28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究[J]微电子学与计算机.2021,(12)
[6]王娟娟;李江江;曾传滨;李逸帆;倪涛;罗家俊;赵发展;.90 nm SOI nMOSFET自加热效应研究[J]半导体技术.2022,(05)
[7]岂飞涛;刘涛;朱蓓丽;张琳;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.一种流水线型ADC的时序改进技术研究[J]微电子学.2022,(02)
[8]朱蓓丽;岂飞涛;张琳;刘涛;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.加扰技术对模数转换器性能的影响[J]微电子学.2022,(02)
[9]刘涛;岂飞涛;朱蓓丽;张琳;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统[J]微电子学.2022,(02)
[10]张琳;岂飞涛;刘涛;朱蓓丽;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.高速模数转换器的关键测量技术[J]微电子学.2022,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到5篇
[1]王立新;高博;王春林;赵发展;刘刚;.功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法[A].中国核科学技术进展报告（第三卷）——中国核学会2013年学术年会论文集第7册（核电子学与核探测技术分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、核聚变与等离子体物理分卷）.2013-09-11
[2]刘梦新;刘刚;卜建辉;范雪梅;毕津顺;赵发展;韩郑生;.基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[3]刘刚;赵发展;韩郑生;.宇航用电子元器件单粒子辐照技术[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[4]赵发展;郭天雷;刘刚;海潮和;韩郑生;贺朝会;李永宏;.8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[5]高博;刘刚;王立新;韩郑生;赵发展;宋李梅;张彦飞;王春林;.一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究[A].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）.2012-08-15
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