学者知网节

【姓名】	邓小川
【职称】	讲师;
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】	4H-SiC MESFET,表面陷阱,直流特性,栅延迟,陷阱电荷,陷阱能级,瞬态特性,夹断电压,延迟现象,陷阱效应,漏电流,输出电阻,二维数值模拟,陷阱密度,电流下降,瞬态响应,耗尽层,输出特性,器件...
【工作单位】	电子科技大学
【曾工作单位】	电子科技大学;
【所在地域】	成都

中国期刊全文数据库 共找到32篇

[1]臧雪;徐思晗;孙相超;刘志强;邓小川;.一种集成栅电阻的高可靠性SiC功率器件研究[J]电子与封装.2025,(11)

[2]毛家兴;周梓俊;陈胥睿;邓小川;周泽坤;.适用于SiC射频功率放大器的栅压可调漏极电源调制驱动电路[J]固体电子学研究与进展.2026,(02)

[3]申华军;唐亚超;彭朝阳;邓小川;白云;王弋宇;李诚瞻;刘可安;刘新宇;.Fabrication and Characterization of 1700 V 4H-SiC Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors[J]Chinese Physics Letters.2015,(12)

[4]胡嘉豪;王英伦;代豪豪;邓小川;张波;.SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述[J]电源学报.2024,(04)

[5]邓小川;.“碳化硅功率半导体技术”专题前言[J]电子与封装.2022,(02)

[6]陈喜明;石帮兵;李轩;范怀云;李诚瞻;邓小川;罗海辉;吴煜东;张波;.Characteristics and mechanisms of subthreshold voltage hysteresis in 4H-SiC MOSFETs[J]Chinese Physics B.2021,(04)

[7]文译;陈致宇;邓小川;柏松;李轩;张波;.10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究[J]电子科技大学学报.2021,(04)

[8]陈超;李旭;黄伟;邓小川;.1 200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究[J]机车电传动.2021,(05)

[9]刘岳巍;杨瑞霞;张志国;王永维;邓小川;.一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET[J]半导体技术.2020,(09)

[10]高吴昊;陈万军;刘超;陶宏;夏云;谯彬;施宜军;邓小川;李肇基;张波;.一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管[J]半导体技术.2019,(04)

中国博士学位论文全文数据库 共找到1篇

[1]邓小川.4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究[D].电子科技大学.2008

中国重要会议全文数据库 共找到2篇

[1]成志杰;文译;李旭;邓小川;.超高压SiC功率器件结终端耐压解析模型[A].第三十三届中国仿真大会论文集.2021-10-15

[2]王易;邓小川;.提高双沟道SiC MESFET性能的双缓冲层结构研究[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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