李相光
【姓名】 李相光
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 硅微波功率晶体管的内匹配研究
【发表文献关键词】 C波段,功率晶体管,T形电极,电子器件,功率管,晶体管,输出功率,硅双极,硅双极晶体管,微波功率晶体管,掺砷多晶硅,GaAs,微波功率管,掺砷,发射极,极晶体,微波参数,频率性能,相位噪声,等离子刻蚀...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]应贤炜;王佃利;李相光;梅海;吕勇;刘洪军;严德圣;杨立杰;.2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2017,(06)
[2]王琪;王建浩;陈韬;杨建;李相光;周书同;.P波段1500W GaN功率管设计[J]固体电子学研究与进展.2018,(03)
[3]王佃利;李相光;严德圣;应贤炜;丁晓明;梅海;刘洪军;蒋幼泉;.千瓦级LDMOS大功率器件研制[J]固体电子学研究与进展.2014,(01)
[4]王佃利;李相光;严德圣;丁小明;刘洪军;钱伟;蒋幼泉;王因生;.P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制[J]固体电子学研究与进展.2011,(01)
[5]丁晓明;王佃利;李相光;蒋幼泉;王因生;黄静;.微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究[J]固体电子学研究与进展.2012,(01)
[6]刘洪军;傅义珠;李相光;.530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管[J]固体电子学研究与进展.2009,(02)
[7]王因生;李相光;傅义珠;丁晓明;王佃利;盛国兴;康小虎;陶有迁;.1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[8]傅义珠;李相光;戴学梅;盛国兴;王因生;王佃利;.3.1~3.4GHz 120W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(01)
[9]赵普社;王因生;李相光;傅义珠;.4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[10]王因生;李相光;傅义珠;王佃利;丁晓明;盛国兴;康小虎;.1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管[J]半导体学报.2008,(05)
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