蔡一茂
【姓名】 蔡一茂
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;物理学;
【研究方向】 神经形态器件及类脑芯片技术
【发表文献关键词】 金属栅,NiSi,炉退火,快速热退火,功函数,方块电阻,电荷密度,栅介质,栅氧化层,电学特性,形成温度,多晶硅,热稳定性,氧化层电荷,击穿电场,退火温度,栅电容,栅电极,温度升高,物理模型,
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/46 3 2 2 28 2557
中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]蔡一茂;吴林东;鲍霖;王宗巍;.面向新型计算架构的存算融合晶体管器件研究[J]科学通报.2023,(35)
[2]陈云霁;蔡一茂;汪玉;唐华;何杰;刘克;郝跃;.集成电路未来发展与关键问题——第347期“双清论坛(青年)”学术综述[J]中国科学:信息科学.2024,(01)
[3]程然;李博;王宗巍;张结印;单伟伟;张建军;蔡一茂;韩根全;.面向高性能计算的低温芯片技术:发展和挑战[J]中国科学:信息科学.2024,(01)
[4]黄如;Yiran CHEN;蔡一茂;.近存/存内计算专题简介[J]中国科学:信息科学.2021,(06)
[5]王宗巍;杨玉超;蔡一茂;朱涛;丛杨;王志衡;黄如;.面向神经形态计算的智能芯片与器件技术[J]中国科学基金.2019,(06)
[6]黄如;黎明;安霞;王润声;蔡一茂;.后摩尔时代集成电路的新器件技术[J]中国科学:信息科学.2012,(12)
[7]蔡一茂;黄如;单晓楠;周发龙;王阳元;.锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究[J]电子学报.2006,(08)
[8]单晓楠;黄如;李炎;蔡一茂;.NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究[J]物理学报.2007,(08)
更多