阮勇
【姓名】 阮勇
【职称】 助理研究员;
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;电力工业;
【研究方向】 微电子机械系统
【发表文献关键词】 微电子机械系统,硅-玻璃阳极键合,硅深刻蚀,刻蚀损伤,测试结果,热氧化,选择比,效应,方法,刻蚀速率,玻璃结构,陀螺,改进工艺,工艺参数,电子技术,底部,侧壁,器件,结构控制,氧化层,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[8]尤政;马波;阮勇;陈硕;张高飞;.芯片级原子器件MEMS碱金属蒸气腔室制作[J]光学精密工程.2013,(06)
[9]周扬;王晓峰;张高飞;阮勇;尤政;.基于聚吡咯微电极的MEMS微型超级电容器的研究[J]电子器件.2011,(01)
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[2]阮勇;叶双莉;张大成;任天令;刘理天;.一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究[A].第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集.2007-08-01
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