学者知网节

【姓名】	柏松
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;核科学技术;工业通用技术及设备;
【研究方向】	碳化硅微波功率器件和碳化硅电力电子器件
【发表文献关键词】	碳化硅,MESFET,微波功率器件,功率放大器,肖特基势垒二极管,理想因子,势垒高度,离子注入,研制,终端技术,欧姆接触,外延材料,实验室,测试结果,场板,高性能,大信号工作,连续波,输出功率,功率增...
【工作单位】	南京电子器件研究所
【曾工作单位】	南京电子器件研究所;
【所在地域】	南京

中国期刊全文数据库 共找到68篇

[1]张闯;张腾;黄润华;李士颜;柏松;.集成异质结二极管的4H-SiC半超结MOSFET[J]电子元件与材料.2026,(02)

[2]钱朵朵;杨晓磊;刘俊修;柏松;.10 kV 4H-SiC GTO高精度TCAD设计与验证[J]固体电子学研究与进展.2026,(02)

[3]张腾;孙西龙;张跃;魏则鲁;张阳;刘傲;柏松;.SiC MOSFET单粒子栅穿机理分析与加固设计研究[J]固体电子学研究与进展.2026,(02)

[4]袁其飞;于庆奎;曹爽;孙毅;王贺;张晓;张腾;柏松;.重离子引起漏电退化损伤对SiC MOSFET栅极可靠性的影响[J]微电子学.2025,(01)

[5]于庆奎;曹爽;张琛睿;孙毅;梅博;王乾元;王贺;魏志超;张洪伟;张腾;柏松;.重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究[J]原子能科学技术.2023,(12)

[6]陈浩炜;刘奥;黄润华;杨勇;刘涛;柏松;.4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造[J]固体电子学研究与进展.2024,(02)

[7]张跃;柏松;李士颜;陈谷然;黄润华;杨勇;.1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制[J]固体电子学研究与进展.2024,(03)

[8]顾勇;马杰;刘奥;黄润华;刘斯扬;柏松;张龙;孙伟锋;.200 V全碳化硅集成技术[J]电子学报.2024,(07)

[9]张跃;黄润华;柏松;.一种改进型4H-SiC超结UMOS器件[J]电源学报.2024,(S1)

[10]杨晓磊;李士颜;赵志飞;李赟;黄润华;柏松;.超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造[J]电子与封装.2022,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到6篇

[1]陈刚;李理;蒋浩;陶然;柏松;李赟;尹志军;.L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究[A].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013-05-21

[2]李理;陈刚;柏松;陶永洪;李赟;陈堂胜;.SiC SIT器件的高温退火工艺研究[A].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013-05-21

[3]陈刚;汪玲;周德红;柏松;.SiC MESFET器件制造与特性研究[A].2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）.2006-02-27

[4]陈刚;李哲洋;陈征;冯忠;陈雪兰;柏松;.4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[5]柏松;陈刚;冯忠;钱峰;陈征;吴鹏;任春江;李哲洋;郑惟彬;蒋幼泉;陈辰;.S波段SiC MESFET微波功率MMIC[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

[6]陈刚;陈雪兰;柏松;李哲洋;韩平;.4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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