李瑞珉
【姓名】 李瑞珉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐照效应,界面陷阱,1/f噪声,氧化层空穴俘获,形成过程,噪声功率谱,辐照前,诱生,栅氧化层,电离辐照,阈值电压漂移,数学模型,辐照损伤,新工具,反应过程,总剂量,幅值,离子运动,沟道,氧化物,
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 陕西西安
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[1]李瑞珉;杜磊;庄奕琪;包军林;.MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究[J]物理学报.2007,(06)
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[1]李瑞珉.基于1/f噪声的MOSFET抗辐照能力无损表征方法[D].西安电子科技大学.2006
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