商耀辉
【姓名】 商耀辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 沟道δSi掺杂,铝铟砷/镓铟砷,共振隧穿二极管,分子束外延,高电子迁移率晶体管,RTD,MBE,光致荧光,功率HEMT,测试结果,HEMT,台面结构,InP衬底,峰-谷电流比,结构材料,InP基,峰谷...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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中国期刊全文数据库    共找到17篇
[1]卜夏正;武一宾;商耀辉;牛晨亮;王健;.用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料[J]微纳电子技术.2015,(05)
[2]武一宾;杨瑞霞;杨克武;商耀辉;卜夏正;牛晨亮;赵辉;王建峰;.基于共振隧穿理论的GaAs基RTD的设计与研制[J]光电子.激光.2011,(02)
[3]卜夏正;武一宾;商耀辉;牛晨亮;赵辉;崔琦;.沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响[J]微纳电子技术.2009,(04)
[4]王建峰;商耀辉;武一宾;牛晨亮;卜夏正;.InAs/GaAs系列量子点研究[J]微纳电子技术.2009,(07)
[5]武一宾;杨瑞霞;商耀辉;牛晨亮;王健;.不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响[J]微纳电子技术.2010,(11)
[6]卜夏正;武一宾;商耀辉;王建峰;.RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量[J]微纳电子技术.2006,(11)
[7]张磊;杨瑞霞;武一宾;商耀辉;高金环;.GaAs基共振隧穿二极管的研究[J]电子工艺技术.2007,(01)
[8]高金环;杨瑞霞;武一宾;刘岳巍;商耀辉;杨克武;.InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制[J]半导体学报.2007,(04)
[9]张磊;杨瑞霞;武一宾;商耀辉;高金环;.共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析[J]半导体学报.2007,(05)
[10]马永强;武一宾;杨瑞霞;齐国虎;李若凡;商耀辉;陈昊;牛晨亮;.4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析[J]半导体技术.2007,(07)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]商耀辉;武一宾;卜夏正;王建峰;牛晨亮;.隧穿型量子效应薄膜材料制备技术[A].中国真空学会2006年学术会议论文摘要集.2006-10-01
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