郝瑞亭
【姓名】 郝瑞亭
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 红外探测材料及器件的研究
【发表文献关键词】 分子束外延,GaAs,InAs/GaSb超晶格,超晶格材料,体材料,峰值波长,高分辨透射电子显微镜,缓冲层,光致发光谱,生长温度,表面粗糙度,生长速率,红外探测器,高质量,衬底温度,光伏电池,界面,样...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]郝瑞亭;郭杰;刘颖;缪彦美;徐应强;.GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长[J]人工晶体学报.2014,(05)
[2]郭杰;彭震宇;鲁正雄;孙维国;郝瑞亭;周志强;许应强;牛智川;.GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究[J]红外与毫米波学报.2009,(03)
[3]郝瑞亭;申兰先;邓书康;杨培志;涂洁磊;廖华;徐应强;牛智川;.MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜[J]功能材料.2010,(04)
[4]刘焕林;郝瑞亭;杨宇;.离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究[J]人工晶体学报.2006,(02)
[5]郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川;.GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长[J]半导体学报.2007,(07)
[6]郭杰;孙维国;陈慧娟;彭震宇;鲁正雄;郝瑞亭;周志强;许应强;牛智川;.生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响[J]功能材料.2008,(10)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川;.2~3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料[A].2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集.2007-07-01
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