刘求益
【姓名】 刘求益
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子注入机,差分密封,注氧机,SOI,SIMOX,溅射,电离,蒸发,污染,扫描机构,真空泵,垂直扫描机构,差分抽气系统,差分抽气,气体通道,靶室,高能粒子,分析器,真空度,光路结构,离子束轰击,注入,...
【工作单位】 中国电子科技集团第四十八研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第四十八研究所;
【所在地域】 湖南长沙
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[1]胡代群;刘求益;.单晶片离子注入机垂直扫描机构的差分密封设计[J]机械工程师.2007,(02)
[2]胡代群;刘求益;.单晶片离子注入机垂直扫描机构差分密封的设计[J]真空电子技术.2007,(02)
[3]刘咸成;唐景庭;伍三忠;贾京英;郭建辉;刘求益;.关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究[J]集成电路应用.2003,(03)
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