朱会丽
【姓名】 朱会丽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiC,ICP刻蚀,工作压强,表面损伤,4H-SiC,紫外光探测,雪崩光电探测器,击穿电压,刻蚀速率,光谱响应,吸收层,光电流,紫外光电探测器,刻蚀气体,暗电流,器件设计,倍增因子,紫外可见,反向偏压...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 福建厦门
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[1]朱会丽;陈厦平;吴正云;.吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器[J]半导体学报.2007,(02)
[2]吕英;庞爱锁;杨伟锋;陈厦平;朱会丽;吴正云;.不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究[J]福州大学学报(自然科学版).2007,(S1)
[3]朱会丽;陈厦平;吴正云;.用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究[J]量子电子学报.2007,(06)
[4]孔令民;蔡加法;陈厦平;朱会丽;吴正云;牛智川;.多层InA s量子点的光致发光研究[J]半导体光电.2005,(06)
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