梁延彬
【姓名】 梁延彬
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 掺锑二氧化锡,化学共沉淀法,X-射线衍射,扫描电镜,反应体系,热处理温度,粉体粒径,粉体粒度,超细粉体,量子尺寸效应,扫描电子显微镜,掺杂剂,衍射峰,工艺参数,退火温度,工艺操作参数,摩尔分数,煅烧温...
【工作单位】 华中科技大学
【曾工作单位】 华中科技大学;
【所在地域】 湖北武汉
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[1]陶亮;张道礼;梁延彬;程有光;.化学共沉淀工艺对ATO粉体粒度的影响[J]压电与声光.2007,(02)
[2]张道礼;梁延彬;吴艳辉;陈胜;.一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]华中科技大学学报(自然科学版).2007,(11)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]梁延彬.二阶16位精度Delta-Sigma调制器的设计[D].华中科技大学.2007
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