单成国
【姓名】 单成国
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅,集成电路工艺,SEM,工艺问题,抗辐射加固,诊断,P-N结,侧壁,涂胶,硅化钛,晶向,电子科技,二氧化硅,研究所,氧化物,辽宁,利用,器件,HMDS处理,进行,
【工作单位】 中国电子科技集团第四十七研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第四十七研究所;
【所在地域】 辽宁沈阳
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[1]王嵩宇,单成国,孙伯森.集成电路工艺问题的SEM诊断[J]电子显微学报.2005,(04)
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[1]王嵩宇;单成国;孙伯森;.集成电路工艺问题的SEM诊断[A].2005年全国电子显微学会议论文集.2005-06-30
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