王同祥
【姓名】 王同祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 砷化镓微波功率场效应晶体管及其微波集成电路的设计与制造工艺技术研究
【发表文献关键词】 MMIC,SEM分析,硫钝化,GaAs,饱和源漏电流,背面通孔,宽带放大器,功率增益,HFET,有耗匹配,受主缺陷,施主缺陷,压点,功率放大器,栅条,活性粒子,漏电流,放大器设计,离子轰击,场效应晶体...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 河北石家庄
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[1]李晓光,王同祥,李效白,杨瑞霞.硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究[J]河北工业大学学报.2004,(03)
[2]张务永,王翠卿,王生国,王同祥,张慕义.宽带GaAs MMIC功率放大器的设计[J]河北省科学院学报.2005,(03)
[3]王同祥;武继斌;张务永;.X波段功率单片放大器的研制[J]半导体技术.2005,(12)
[4]刘立浩,杨瑞霞,王同祥,张雄文,周瑞.使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题[J]电子显微学报.2002,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]刘立浩;杨瑞霞;王同祥;张雄文;周瑞;.使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题[A].第十二届全国电子显微学会议论文集.2002-08-01
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