李玉珍
【姓名】 李玉珍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅外延,SiCl_4,氢还原,多晶硅,外延生长,外延片,常压,硅迁移,SICI,亮片,石墨基座,外延,包硅,雾区,面质量,生长温度,硅沉积,温差,混合柱,高温区,
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]孙贵如;李玉珍;.水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究[J]电子显微学报.1984,(04)
[2]杨树人,刘明登,许新民,傅则忠,李玉珍.SiCl_4氢还原低压硅外延生长的碳沾污[J]半导体技术.1986,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]孙贵如;李玉珍;.水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30
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