李潇
【姓名】 李潇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 增强型,InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT,小信号等效电路,参数提取,磷化铟基,高电子迁移率晶体管,欧姆接触,合金条件,传输线模型,接触电阻率,长时间,快速退火,金属结构,等效电路参数...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]唐立田;张海英;黄清华;李潇;尹军舰;.一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现[J]电子器件.2009,(03)
[2]刘亮;尹军舰;李潇;张海英;李海鸥;和致经;刘训春;.磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺[J]半导体学报.2006,(11)
[3]徐静波;尹军舰;张海英;李潇;刘亮;叶甜春;.增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取(英文)[J]半导体学报.2007,(03)
[4]刘亮;张海英;尹军舰;李潇;徐静波;宋雨竹;刘训春;.一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)[J]半导体学报.2007,(11)
[5]刘亮;张海英;尹军舰;李潇;徐静波;宋雨竹;牛洁斌;刘训春;.截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)[J]半导体学报.2007,(12)
[6]刘亮;张海英;尹军舰;李潇;杨浩;徐静波;宋雨竹;张健;牛洁斌;刘训春;.功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)[J]半导体学报.2007,(12)
[7]徐静波;黎明;张海英;王文新;尹军舰;刘亮;李潇;张健;叶甜春;.1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC(英文)[J]半导体学报.2008,(04)
[8]黎明;张海英;徐静波;李潇;刘亮;付晓君;.增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺(英文)[J]半导体学报.2008,(08)
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