高愈尊
【姓名】 高愈尊
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子束退火,电子辐照缺陷,两步退火,氢离子注入,硅单晶,单晶Si,低温加热,二次缺陷,性能研究,位错,衍衬,缺陷密度,辐照缺陷,电子束,电子辐照,热退火,注氢,高剂量,单晶,位错网,线缺陷,低温退火,...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到13篇
[1]高愈尊;徐柱天;.硅锗合金均匀性的X射线衍射研究[J]稀有金属.1989,(02)
[2]周辉,高愈尊,金孝刚,陈宏.纳米银块体材料的制备及其结构表征[J]中国有色金属学报.2003,(05)
[3]李永洪，高愈尊，张泰宋.化学法制备的纳米金属粉TEM观察[J]电子显微学报.1994,(06)
[4]高愈尊，李永洪，张泰宋.超细La_2O_3纳米粉末制备过程的电子显微镜动态观察[J]中国稀土学报.1995,(04)
[5]李永洪,高愈尊,张泰宋.离子减薄法对纳米金属材料微结构的影响[J]电子显微学报.1998,(02)
[6]高愈尊,李永洪,张泰宋.铟锡氧化物纳米粉的显微结构[J]中国有色金属学报.1998,(02)
[7]高愈尊.退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究[J]物理学报.1984,(06)
[8]卢殿通,张通和,苏颖,高愈尊.高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究[J]半导体学报.1987,(02)
[9]高愈尊,大贯惣明,高桥平七郎,佐藤義一,竹山太郎.氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响[J]物理学报.1988,(01)
[10]高愈尊,高桥平七郎,佐藤羲一,竹山太郎.氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响[J]稀有金属.1989,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]周辉;高愈尊;.纳米镍粉的制备工艺研究[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
[2]李永洪;高愈尊;张泰宋;.化学法制备的纳米金属粉TEM观察[A].第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）.1994-10-01
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