刘道广
【姓名】 刘道广
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高深宽比,硅锗异质结双极晶体管,自对准工艺,侧墙,悬梁,刻蚀速率,刻蚀技术,等离子体,MEMS器件,半导体工艺,低压化学汽相淀积,多晶硅膜,薄膜缺陷,自对准结构,多晶硅薄膜,特征频率,模拟研究,RFL...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
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[1]张万荣;高攀;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;.SiGe/Si HBT低频噪声特性研究[J]微电子学.2006,(01)
[2]张万荣;邱建军;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;.SiGe/Si HBT高频噪声特性研究[J]微电子学.2006,(01)
[3]王胜强;刘玉奎;黄磊;刘道广;.LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施[J]微电子学.2006,(04)
[4]张静;李荣强;刘伦才;李开成;刘道广;徐婉静;杨永晖;蒲林;谭开洲;.一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器[J]微电子学.2006,(05)
[5]蒲林;刘伦才;李荣强;刘道广;张静;谭开洲;.一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究[J]微电子学.2006,(05)
[6]赵安邦;谭开洲;吴国增;李荣强;张静;钟怡;刘道广;.一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT[J]微电子学.2006,(05)
[7]鲁亚诗;张伟;李高庆;刘道广;李希有;鲁勇;刘爱华;张翔;.一种低噪声SiGe微波单片放大电路[J]微电子学.2006,(05)
[8]张万荣;沙永萍;谢红云;刘颖;张静;张正元;刘伦才;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;.版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响[J]微电子学.2006,(05)
[9]冯曦;王纪民;刘道广;.具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究[J]微电子学.2006,(05)
[10]高攀;张万荣;谢红云;邱建军;沙永萍;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;.SiGe HBT高频噪声特性研究[J]半导体技术.2007,(05)
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