张国栋
【姓名】 张国栋
【职称】
【研究领域】 化学;物理学;无线电电子学;
【研究方向】 单晶体生长及其缺陷研究
【发表文献关键词】 位错密度,半导体材料,单晶生长,熔体法,单晶体,径向温度梯度,生长过程,热应力,固液界面,晶体生长,粘塑性模型,位错增殖,临界切应力,热膨胀系数,体单晶,坩埚,生长晶体,温度场,控制因素,熔体对流,
【工作单位】 山东理工大学
【曾工作单位】 山东理工大学;
【所在地域】 淄博
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