焦刚
【姓名】 焦刚
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体器件
【发表文献关键词】 微波振荡器,超导微带谐振器,界面固相反应,砷化镓场效应器件,AlGaN/GaN,欧姆接触,超导薄膜,Ⅲ族氮化物,HEMT,谐振器,相位噪声,微波功率,高T_c超导薄膜,AlGaN,埋栅,微波大功率,场...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[7]孙春妹;钟世昌;陈堂胜;任春江;焦刚;陈辰;高涛;.Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究[J]电子与封装.2010,(06)
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[9]任春江;陈堂胜;焦刚;李肖;.温度对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响[J]固体电子学研究与进展.2007,(03)
[10]任春江;陈堂胜;焦刚;陈刚;薛舫时;陈辰;.SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响[J]半导体学报.2008,(12)
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中国重要会议全文数据库    共找到4篇
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[2]任春江;李忠辉;焦刚;钟世昌;董逊;薛舫时;陈辰;陈堂胜;.高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]周建军;张继华;陈堂胜;任春江;焦刚;李忠辉;陈辰;杨传仁;.高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[4]李忠辉;董逊;任春江;李亮;焦刚;陈辰;陈堂胜;.SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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