王勇
【姓名】 王勇
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;物理学;
【研究方向】 宽禁带半导体器件和光电器件的开发和研制工作
【发表文献关键词】 异质结场效应晶体管,氮化镓,极化效应,二维电子气,电流崩塌效应,AlGaN/GaN,HFET,跨导,直流特性,场板结构,截止频率,输出功率,隔离特性,整流特性,退火处理,击穿电压,最高振荡频率,输出特...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]王敬轩;吴昊;王永维;李永平;王勇;杨霏;.SiC MOSFET器件抗辐照特性研究[J]智能电网.2016,(11)
[2]王永维;王敬轩;刘忠山;闫伟;王勇;党冀萍;.3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制[J]半导体技术.2017,(03)
[3]王永维;李永平;王勇;吴昊;李玲;.4H-SiC高压肖特基二极管研制[J]智能电网.2017,(08)
[4]张倩倩;唐建军;王勇;梁庭;熊继军;.GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试[J]微纳电子技术.2011,(03)
[5]王帅;刘文怡;梁庭;王勇;刘俊;熊继军;.Si(111)异质外延表面光滑H-GaN的制备和表征[J]传感器与微系统.2011,(07)
[6]史伟莉;薛晨阳;唐建军;王勇;刘俊;张文栋;.HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试[J]仪表技术与传感器.2012,(04)
[7]胡宇光;刘俊;王勇;.HEMT器件力电耦合传感特性测试[J]传感器与微系统.2012,(05)
[8]田秀伟;冯震;王勇;宋建博;张志国;.高性能AlGaN/GaN HEMT的肖特基特性[J]微纳电子技术.2009,(02)
[9]周瑞;冯震;李亚丽;王勇;张雄文;.介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响[J]半导体技术.2009,(05)
[10]默江辉;李亦凌;王勇;潘宏菽;李亮;陈昊;蔡树军;.S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究[J]微波学报.2010,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]默江辉;王勇;李亮;潘宏菽;冯震;蔡树军;.SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
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