张新
【姓名】 张新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 发光二极管(LED),反向击穿电压,多量子阱(MQW),PIN结构,MOCVD,低阈值电流,650nm激光器,特性分析,AlGaInP/GaInP量子阱,Zn扩散,组分无序,外延片,扩散研究,掺杂,扩...
【工作单位】 山东华光光电子有限公司
【曾工作单位】 山东华光光电子有限公司;
【所在地域】 济南
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中国期刊全文数据库    共找到16篇
[1]朱振;张新;肖成峰;李沛旭;孙素娟;夏伟;徐现刚;.高可靠性瓦级660nm半导体激光器研制[J]中国激光.2018,(05)
[2]朱振;肖成峰;夏伟;张新;苏建;李沛旭;徐现刚;.大功率640nm红光半导体激光器的设计及制备[J]激光与光电子学进展.2018,(08)
[3]朱振;张新;李沛旭;王钢;徐现刚;.Voltage reduction of 808 nm GaAsP/(Al)GaInP laser diodes with GaInAsP intermediate layer[J]Journal of Semiconductors.2015,(01)
[4]蒋锴;李沛旭;沈燕;张新;汤庆敏;任忠祥;胡小波;徐现刚;.76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文)[J]中国激光.2014,(04)
[5]蒋锴;李沛旭;张新;汤庆敏;夏伟;徐现刚;.非对称结构大功率940nm量子阱激光器[J]强激光与粒子束.2014,(05)
[6]朱振;李沛旭;张新;王钢;徐现刚;.大功率660nm半导体激光器的电流电压特性[J]半导体技术.2014,(09)
[7]蒋锴;李沛旭;张新;李树强;夏伟;汤庆敏;胡小波;徐现刚;.MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料[J]人工晶体学报.2012,(S1)
[8]王翎;李沛旭;房玉锁;汤庆敏;张新;夏伟;任忠祥;徐现刚;.808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制[J]半导体技术.2011,(12)
[9]马德营;李佩旭;夏伟;李树强;汤庆敏;张新;任忠祥;徐现刚;.Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]人工晶体学报.2009,(03)
[10]李沛旭;王翎;李树强;夏伟;张新;汤庆敏;任忠祥;徐现刚;.MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications[J]Chinese Optics Letters.2009,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]李沛旭;夏伟;李树强;张新;汤庆敏;任忠祥;徐现刚;.MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[2]王海卫;张新;李沛旭;汤庆敏;李树强;夏伟;徐现刚;.4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16
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