学者知网节

【姓名】	田波
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;金属学及金属工艺;
【研究方向】	功率半导体器件的设计与研究
【发表文献关键词】	半导体器件,工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管,槽栅,新结构,开关速度,氧化层,栅电容,栅极,通态功耗,电阻,理论分析,开关管,高频,降低,低压,电导调制,常开型,仿真研究,二极管,特点,
【工作单位】	北京工业大学
【曾工作单位】	北京工业大学;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到8篇

[1]田波;亢宝位;吴郁;韩峰;.栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究[J]中国集成电路.2009,(02)

[2]韩峰;亢宝位;吴郁;田波;.CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比[J]中国集成电路.2009,(05)

[3]田波;吴郁;胡冬青;亢宝位;.采用优化的腐蚀工艺对TiSi_2接触特性的改善[J]北京工业大学学报.2009,(06)

[4]田波;吴郁;黄淮;胡冬青;亢宝位;.面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗[J]电工技术学报.2009,(08)

[5]田波;程序;亢宝位;.超结理论的产生与发展[J]微电子学.2006,(01)

[6]田波;亢宝位;吴郁;韩峰;.栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究[J]电力电子技术.2007,(06)

[7]田波;程序;亢宝位;.超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响[J]中国集成电路.2008,(08)

[8]田波;吴郁;胡冬青;韩峰;亢宝位;.埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验(英文)[J]半导体学报.2008,(10)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]张娜;亢宝位;田波;韩峰;吴郁;胡冬青;.电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究[A].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006-09-01

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