段明伟
【姓名】 段明伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 高压互连线,多区,双RESURF,LDMOS,击穿电压,击穿特性,器件结构,结终端扩展,工艺步骤,高压器件,线宽度,漂移区,仿真结果,曲率效应,电路设计,实验研究,电场分布,圆形结构,三维仿真,掩模版,
【工作单位】 电子科技大学
【曾工作单位】 电子科技大学;
【所在地域】 四川成都
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 2 2 0 20 509
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]乔明;周贤达;段明伟;方健;张波;李肇基;.具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性[J]半导体学报.2007,(09)
[2]乔明;肖志强;方健;郑欣;周贤达;徐静;何忠波;段明伟;张波;李肇基;.基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺(英文)[J]半导体学报.2007,(11)
更多