肖志强
【姓名】 肖志强
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;核科学技术;
【研究方向】 SOI集成电路生产研究
【发表文献关键词】 触发,LATCHUP测试,测试结构,SOI CMOS,SIMOX,总剂量效应,部分耗尽绝缘体上硅,静态随机存储器,加固设计,结构尺寸,器件,EB结,总剂量辐照,辐照系统,多区,LDMOS,RESURF...
【工作单位】 中国电子科技集团第五十八研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第五十八研究所;
【所在地域】 江苏无锡
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[1]陈正才;徐大为;肖志强;高向东;洪根深;徐静;周淼;.SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应[J]信息与电子工程.2012,(05)
[2]马林宝;肖志强;顾爱军;.FRED的特性参数及其外延材料的研制[J]电子与封装.2012,(12)
[3]陈正才;周淼;洪根深;高向东;苏郁秋;何逸涛;乔明;肖志强;.用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS[J]电子与封装.2013,(06)
[4]肖志强;李蕾蕾;张波;徐静;陈正才;.基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究[J]物理学报.2011,(02)
[5]李蕾蕾;于宗光;肖志强;周昕杰;.SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究[J]物理学报.2011,(09)
[6]徐大为;徐静;肖志强;高向东;洪根深;陈玉蓉;周淼;.抗辐射数字电路加固技术研究[J]电子与封装.2012,(02)
[7]洪根深;肖志强;王栩;周淼;.0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究[J]微电子学.2012,(02)
[8]洪根深;肖志强;高向东;何玉娟;徐静;陈正才;.超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究[J]电子与封装.2009,(02)
[9]赵文彬;陈海峰;肖志强;李蕾蕾;于宗光;.W-plug via electromigration in CMOS process[J]半导体学报.2009,(05)
[10]赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;.用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力[J]信息与电子工程.2010,(01)
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[1]王辂;肖志强;宋志伟;.面向集成片上变压器的高效多物理场数值分析方法[A].2023年全国微波毫米波会议论文汇编（二）.2023-05-14
[2]赵凯;高见头;杨波;李宁;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深;.CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
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