陆海纬
【姓名】 陆海纬
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 聚焦离子束,TEM制样,非晶层,阈值电压漂移,埋沟PMOS,无掩膜离子注入,溅射,刻蚀,离子束流,饱和剂量,晶体管,注入剂量,离子浓度,深度分布,单晶硅,材料表面,迁移率,微细加工,辐照剂量,纵向分布...
【工作单位】 复旦大学
【曾工作单位】 复旦大学;
【所在地域】 上海
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/7 6 3 3 62 4295
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]孙柯;陆海纬;李达;曾韡;李越生;傅正文;.静电纺丝法制备氧化锰纳米丝电极及其电化学性能[J]无机材料学报.2009,(02)
[2]陆海纬;陈忠浩;王蓓;宋云;曾韡;郑国祥;.聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[3]陆海纬;周永宁;曾韡;李越生;傅正文;.三维尖晶石Li_4Ti_5O_(12)纳米丝网状电极的构置与电化学性能[J]无机化学学报.2006,(10)
[4]王蓓;陈忠浩;陆海纬;宋云;曹永明;曾韡;.聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究[J]复旦学报(自然科学版).2007,(01)
[5]宋云;陆海纬;王振雄;郑国祥;李越生;曾韡;.聚焦离子束在精细加工中引起损伤的分析[J]复旦学报(自然科学版).2007,(01)
[6]宋云;陆海纬;陈忠浩;张兆强;郑国祥;李越生;曾韡;.聚焦离子束辐照对MOS晶体管性能的影响[J]固体电子学研究与进展.2007,(03)
更多
中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇